关键参数特征

• 功能强大的SEM电子光学系统，采用高亮度的Schottky发射器为电子源，具有束流大，噪点低，非凡的成像能力等特点
• In-Beam探测器能够确保在很小的工作距离下仍能收集信号，进行高品质成像
• 采用Xe等离子体源的超快速FIB系统。 束流大，具有惊人的离子束切割速度，因此在切除大体积块状材料时卓有成效；
• 同时较低的离子束流便于完成样品表面抛光
• 电子束减速技术（BDT）助力于进行超低着陆电压下的成像
• 隔离材料的植入、掺杂或降解更少，这点对于半导体行业相当重要
• SEM与 FIB两系统互补，即使用FIB进行样品切割或沉积时，可同时进行SEM成像拍照
• TESCAN电镜各种自动化操作技术，如In-Flight Beam TracingTM技术可通过计算精细的调节高分辨率成像所需的参数设置
• （例如工作距离WD、放大倍率等）
• DrawBeam 软件模块是一个便于进行图案设计的工具，3D功能亦很强大，使用它可在FIB切割或粒子束蚀刻等过程可实时获取图像
• 为3D EDX及3D EBSD等三维显微分析技术带来全新的解决方案
• 集成了飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）与 扫描探针显微技术，可扩展的大样品室，使用户能够进行6’’、8’’ and 12’ 的晶片光刻检验
• 12’’晶片光刻检验是TESCAN电镜的技术能力
• 气体注入系统 (GIS) 有助于使FIB完成更多应用
• 高性能的电子成像能力，其成像速率可高达20 ns/pxl, 同时具备优越的沉积速率及超快的扫描速度
• 涡轮分子泵及前级泵能有利于保持样品室的清洁度；电子枪通过离子吸气泵获得真空