扫描电镜分析

　一、S4800场发射扫描电子显微镜

　加速电压15kV下，二次电子分辨率1nm；

　加速电压1kV下（减速模式），二次电子分辨率1.4nm； 　　

　材料的显微结构，微区成分分析，低加速电压可直接观察不导电试样。

　二、Magellan 400 场发射扫描电子显微镜

分辨率：二次电子（SE）像15kV时优于0.8nm，1kV时优于0.9nm，STEM模式，BF像30kV时优于0.6nm

带能力单色过滤器，高分辨率热场发射扫描电镜，低加速电压下具有较高的分辨率，能够直接观察不导电材料的显微结s，热场发射肖特基电子枪，束流大，且稳定，电子束流连续可调，适用于纳米尺寸的能谱(EDS）及背散射电子衍射（EBSD）的分析要求。

三、SU 82220 场发射扫描电子显微镜

分辨率：二次电子（SE）像，加速电压15kV时优于0.8nm；着陆电压1kV时优于1.1nm；

电子枪真空：优于2*10-8；

电子束流条件范围：5pA~10nA;

二次电子探头：Lower,Upper,Top（含Energy filter).

新型e场发射电子枪具有更高的相干度、更高亮度、更小束斑等，因此成像质量更好。低加速电压下也具有较高的分辨率，这样可以减少电子书轰击对样品的损伤，以及减少观察不导电样品时的荷电现象，可以在低加速电压下获得较高衬度的背散射信号。有利于分析多相纳米材料，介孔材料等。

四、JXA-8100电子探针仪

材料微区成分的定性和定量分析；

元素分布的彩色显示；

材料的显微结构观察与分析；

材料中缺陷分析；失效分析。

二次电子象分辨率5nm，元素分析范围B－U，元素检测极限约为0.01%定量分析的总量误差。