♦ ELITE (增强型锁相热发射显微镜)

我们始终如一的坚持为客户提供有效的解决方案可有效应用于半导体产品研发与生产周期的每个阶段。

众所周知，锁相热发射显微镜如今已成为高等电性故障分析流程中不可或缺的技术手段。有缺陷的或表现不佳的半导体器件常常表现出异常分布的功耗从而导致局部温度升高。赛默飞提供的Thermo Scientific ELITE增强型锁相热发射显微镜利用其InSb红外相机完成成像, 能准确有效地定位这些领域。

锁相热成像是一种动态红外热成像，可提供更好的信号噪声比以及更高的灵敏度。锁热成像分析法可以用来定位线路短路，静电放电缺陷，氧化损伤，缺陷的晶体管和二极管，以及器件latch-up。

图1a，增强型锁相热发射显微镜示意图

图1b，增强型锁相热发射显微镜工作原理示意图

♦ ELITE的应用

ELITE的应用范围广泛，且具有无损分析和缺陷深度分析等功能，在半导体各环节的失效分析中都扮演着重要角色。

应用领域广泛：赛默飞的ELITE可广泛应用于半导体各个领域，通过增强型锁相热成像技术准确定位到各种不同的缺陷位置，如：
•  晶圆缺陷
•  封装缺陷
•  PCB电路板缺陷

图2 ELITE缺陷定位图

a: ELITE定位芯片缺陷 b:ELITE定位封装缺陷 c:ELITE定位PCB电路板缺陷
 

非破坏性失效位置定位：红外光具有穿透能力，可以穿透封装体被ELITE的InSb红外相机收集，在不破坏样品的前提下完成缺陷位置定位，这是传统光发射显微镜不具备的能力。辅以X-Ray和SAM等无损分析机台检测缺陷。

图3a, ELITE无损失效定位示意图
                     

图3a, ELITE无损失效定位示意图                                        图3c, X-ray在热点位置发现缺陷

缺陷深度分析：ELITE经由解析相角可以作热点来源深浅的判断，实现缺陷深度分析的功能，这种分析手段是其他光学定位系统所不具备的。

深度分析的基本理念是通过建立3D模型来分析缺陷深度，图4为深度分析的建模和分析流程。

图4， ELITE深度分析建模和分析简介

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当然除了ELITE系列，赛默飞也提供面向集成电路物性和电性缺陷分析的整套解决方案。不论是从设计验证，物性和电性分析还是良率提升，工艺控制，来料质量控制等各个环节方面，赛默飞都有一套综合、有效的解决方案应对不同客户的需求。赛默飞诚挚邀请您齐聚IPFA 2018（新加坡），在2018年7月16日至19日的新加坡滨海湾金沙酒店（MARINA BAY Sands SINGAPORE）分享解决方案，探讨未来技术发展，探索更高领域的工艺。